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ファイル:MOS-FET gate with SOI (Partially Depleted v.s. Fully Depleted).PNG

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元のファイル (492 × 880 ピクセル、ファイルサイズ: 29キロバイト、MIME タイプ: image/png)

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概要

解説
English: MOS-FET gate in silicon-on-insulator (SOI) technology: A.) partially depleted vs. B) fully depleted). Legend:
  1. gate electrode
  2. source
  3. drain
  4. insulator, e.g. silicon dioxide
  5. substrate
  6. body/bulk
Deutsch: MOS-FET-Gate mit silicon-on-insulator-(SOI)-Technologie: A) teilweise verarmt, B.) vollständig verarmt). Legende:
  1. Gate-Elektrode
  2. Source
  3. Drain
  4. Isolator, z. B. Siliziumdioxid
  5. Substrat
  6. Body/Bulk
日付
原典 Made by uploader (ref:「システムLSIのできるまで」編集委員会編著、『システムLSIのできるまで』、日刊工業新聞社、2002年12月10日初版発行、ISBN 4526050482, 西久保靖彦著、『半導体の基本と仕組み』、秀和システム、2003年3月6日第1版第1刷発行、ISBN 4798004928, http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/20110506_444011.html)
作者 Shigeru23
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w:ja:クリエイティブ・コモンズ
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題材

成立日

27 5 2011

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日付と時刻サムネイル寸法利用者コメント
現在の版2011年5月26日 (木) 15:382011年5月26日 (木) 15:38時点における版のサムネイル492 × 880 (29キロバイト)Shigeru23{{Information |Description ={{en|1=MOS-FET gate with SOI (Partially Depleted v.s. Fully Depleted)}} |Source =Made by uploader (ref:「システムLSIのできるまで」編集委員会編著、『システムLSIのできるまで』、日刊�

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