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ファイル:CMOS fabrication process.svg

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元のファイル ‎(SVG ファイル、512 × 2,176 ピクセル、ファイルサイズ: 7キロバイト)

ウィキメディア・コモンズ
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概要

解説
English: Simplified process of fabrication of a CMOS inverter on p-type substrate in semiconductor microfabrication. Note: Gate, source and drain contacts are not normally in the same plane in real devices, and the diagram can be scale.
日付
原典 投稿者自身による著作物
作者
このファイルには作者に関する情報がありません。
その他のバージョン
  • 英語 .svg
    英語 .svg
  • ロシア語 .svg
    ロシア語 .svg
SVG 開発
InfoField
 
このSVGのソースコードは正しい.
 
この アイコンは不明のSVGツールで作成されました。
 
 このSVGアイコンは埋込み文を用いており，テキストエディタを用いて容易に翻訳することができますいます。

ライセンス

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w:ja:クリエイティブ・コモンズ
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キャプション

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このファイルに描写されている項目

題材

成立日

16 8 2014

チェックサム

d519d7e6f9b783385926d1dfe46ad6c2f3b773d6

使用された手段・手法: SHA-1

データサイズ

7,225 バイト

全高

2,176 ピクセル

全幅

512 ピクセル

ファイルの履歴

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日付と時刻サムネイル寸法利用者コメント
現在の版2011年10月9日 (日) 16:292011年10月9日 (日) 16:29時点における版のサムネイル512 × 2,176 (7キロバイト)Cmglee{{Information |Description ={{en|1=Simplified process of fabrication of a CMOS inverter on p-type substrate in semiconductor microfabrication. Note: Gate, source and drain contacts are not normally in the same plane in real devices, and the diagram is

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メタデータ

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